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Sättigungsstrom einer Si-Diode: Tipp
Status: (Frage) beantwortet Status 
Datum: 00:58 Fr 29.07.2016
Autor: Calculu

Aufgabe
An eine Si-Diode wird bei Raumtemperatur Spannung angelegt. Die Leitungsbandkante [mm] W_c [/mm] verringert sich im p- und n-Bahngebiet um 0,7eV. Es fließt ein Strom von 20mA.
Berechne den Sättigungstrom [mm] I_s. [/mm]
(Rekombination sei vernachlässigbar.)



Ich würde mit dieser Gleichung arbeiten:

[mm] I_{D} [/mm] = [mm] I_S [/mm] * ( exp( [mm] U_D [/mm] / [mm] U_T [/mm] ) - 1)
[mm] I_{D} [/mm] = 20mA
[mm] U_{T} [/mm] = 26mV

Aber wie bestimme ich [mm] U_D [/mm] ?

Über einen Tipp würde ich mir sehr freuen!

        
Bezug
Sättigungsstrom einer Si-Diode: Antwort
Status: (Antwort) fertig Status 
Datum: 09:14 Sa 30.07.2016
Autor: Infinit

Hallo Calculu,
die Diffusionsspannung bei Silizium beträgt 0,7 V.
Viele Grüße,
Infinit

Bezug
                
Bezug
Sättigungsstrom einer Si-Diode: Mitteilung
Status: (Mitteilung) Reaktion unnötig Status 
Datum: 22:32 Mo 01.08.2016
Autor: Calculu

Super, Danke!

Bezug
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